它不是生存的，也没有大脑的成分，但是研究人员发现，一个称为二氧化钒的分子可以“记住”以前的外部刺激。
这是该功能第一次在材料中发现，但可能不是最后一个。此外，该发现对电子设备的演变（特别是数据处理和存储）具有一些有趣的含义。
“在这里，我们介绍了二氧化钒中的电子可访问的长期结构状态，可以为数据存储和处理提供方案，”由瑞士的电气工程师Mohammad Samizadeh Nikoo领导的研究人员写道，瑞士的莱桑尼莱桑尼（Fédéralede Lausanne）的工作。
“这些类似玻璃的功能设备在速度，能耗和微型化方面都可以胜过常规的金属氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化物 - 氧化通导器电子设备，并为神经形态计算和多层次记忆提供了途径。”
最近，以二氧化钒（VO2）为半导体的能力胜过硅的能力，最近已将其作为硅作为电子设备的基础的替代方案而闻名。
此外，VO2还充当68摄氏度以下的绝缘体（154.4华氏度）。尽管如此，它仍然高于该阈值温度，它迅速转化为具有较强电导率的金属，一种称为金属 - 绝缘体过渡的转换。
科学家们最近才发现原因：随着温度的升高，原子在晶格模式中的排列方式变化。然后，当温度恢复正常时，材料将恢复为绝缘体状态。
Samizadeh Nikoo的最初目标是确定VO2从绝缘子转变为金属需要多长时间，相反，在翻转开关时进行测量。尽管返回其初始状态，但仍指示的数据；VO2的举止好像记得最近的活动。
调查将电流带到了材料，特别是从一侧到另一侧。该电流加热了VO2，导致其转移状态 - 上述原子结构重排。当电流释放时，原子结构展开至原始状态。后来，再次应用电流。
EPFL的电气工程师Elison Matioli解释说：“ VO2似乎'记住'第一阶段过渡，并预测下一个阶段。”
“我们没想到会看到这种记忆效应，它与电子状态无关，而与材料的物理结构无关。这是一个新颖的发现：没有其他材料以这种方式行为。”
该小组的研究发现，VO2至少三个小时保留了有关最近应用电流的信息。Matioli说，它可能会更长的时间，但是“我们目前没有所需的工具来衡量这一点。”
开关模仿了大脑中神经元的功能，该功能既是记忆单元又是处理器。结果，以类似概念（称为神经形态技术）建立的计算可以比传统的芯片和电路板具有显着优势。
VO2似乎检查了愿望清单上的所有框中的内存设备：考虑到材料固有的这一双重特征，具有出色的容量，高速和可扩展性的潜力。此外，与以电气状态控制的二进制格式编码数据的内存设备相比，其功能为其提供了优势。
研究人员写道：“我们报道了VO2中类似玻璃的动力学，可以在次纳秒秒尺度上激发，并在及时监测了几个幅度，从微秒到小时。”
“因此，我们的功能设备可能会在缩小，快速运行和降低电压供应水平方面可能满足电子设备的持续需求。”
该研究已发表在自然电子。
