三星庆祝了有史以来第一个3NM登机口芯片的发货

三星是芯片技术的巨头之一，最近纪念了其3NM芯片的第一货运。应该注意的是，它启动了上个月这些芯片的制造过程，其中包含一些规格，包括使用“ 3nm alt-Arn-Arond（GAA）。”为了庆祝这一成就，三星举行了仪式，近100人参加了仪式。它体现了一些著名人物，包括公司高管，员工以及贸易，能源和工业部长李·昌阳。不仅如此，这项事件也由那些表达有关将该技术用于未来项目的公司表示同意的公司的首席执行官也参加了会议。

此外，Lee Chang-Yang表明了他对这些芯片开始的全力支持，因为这将有助于促进该国的半导体生态系统。谈到这些芯片的历史，它植根于2000年代初期，当时三星电子的专业人员对GAA晶体管的研究过程删除了一些令人印象深刻的规范。他们进行了大规模的研究，并做出了出色的工作，直到他们的计划于2017年初开始推出。

据透露，他们已经开始在2017年实验GAA晶体管的设计特性。现在，经过一系列成功的实验和测试程序，该公司最终实现了大规模生产这些芯片的里程碑。不仅如此，三星现在还使用新工艺和创新技术批量生产这些芯片。由此，我们可以推断出该公司没有坐在手中，并且非常努力地在市场上取名并与竞争对手竞争。

与三星使用的“ FinFet Design”所用的旧技术相比，该系统进入了新的过程，称为“全面隔开（GAA）”。根据该公司采用的这种新方法，晶体管现在已经加强了处理更多的当前方法，而它们的尺寸仍然很小，这似乎是绝对的爆炸。

根据三星，“ 3NM GAA芯片将使用45％的功率，比相似的5NM FinFET芯片少23％，较小16％。这是GAA过程的第一代。顺便说一句，第2代将进一步改善这些指标。”重要的是要注意，该公司尚未谈论最近发货的芯片种类，但是它有很好的计划将这项技术（即“ 3NM GAA”）纳入其智能手机芯片中。三星希望能兑现其诺言，因为更大的计划已经在卡上。