IBM和三星的这些新节能芯片可以允许智能手机电池持续一周

IBM和三星已经开发了一种新颖的方式，将晶体管垂直堆叠在芯片上，他们称之为“垂直堆叠”（而不是平放在半导体的表面上）。

边缘据报道，新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在成功实现现有的FinFET技术，该技术用于当今一些最先进的电路，并且可以使比今天更密集的晶体管更密集的半导体。本质上，新的设计垂直堆叠晶体管，使电流可以上下流动，而不是大多数芯片上发现的电流流动的左右水平体系结构。yabo168vip com

IBM研究与我们的奥尔巴尼研究联盟合作伙伴合作@三星，在半导体设计方面取得了突破：垂直传输纳米片田间效果晶体管（VTFET）可以帮助摩尔的定律在未来几年中保持活力。

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- IBM Research（@ibmresearch）2021年12月14日

垂直设计是改变半导体行业的关键，因为它有可能将能源消耗降低多达85％。摩尔的法律规定，每两年，芯片中的发射机数量增加了一倍，从而增加了速度和能力。

这是由于各种技术进步所致，例如可以包装成微芯片的晶体管数量的增加。

但是，科学家警告说，较老的处理器会用尽房间来容纳新的技术。

晶体管通常在芯片表面水平组织，电流横向流动。但是，借助这种革命性的设计，可以垂直排列晶体管，从而使电流上下流动。

由于芯片设计师可以将更多的晶体管融入一个位置，因此摩尔的法律的限制将进一步推动。它还允许更多的当前流量和更少的能源浪费。

与FinFET设计相比，两家公司表示，VTFET设备可以提供“性能提高两倍或能源利用率85％”。IBM和三星认为，VTFET技术可能有助于维护摩尔法律的目标，即通过将更多的晶体管挤入处理器，使晶体管不断发展。

IBM和三星还猜测了一些新技术的牵强应用程序，包括“可以在不被充电的情况下进行一周超过一周的手机电池，而不是数天”，“能源密集型的加密货币挖掘或数据加密”，以及“甚至更强大的物联网设备甚至航天器。”