逆向工程大脑到存储芯片的未来就在眼前
三星电子最近推出了新的神经形态芯片，可以帮助模拟大脑活动。由三星和哈佛大学的顶尖工程师和研究人员设想，这一见解以《自然电子》杂志题为《基于复制和粘贴大脑的神经形态电子》的观点论文发表。该研究是由三星综合技术研究院(SAIT)研究员、哈佛大学教授咸东熙、哈佛大学教授朴洪坤、三星SDA社长黄圣久(前SAIT院长)、三星电子副会长金基南等人共同完成的。
简单地说，这篇论文提出，使用突破性的纳米电极阵列复制大脑神经元连接图，并将该地图粘贴到高密度的三维固态存储器网络上，三星以其闻名。通过这种复制粘贴的方法，作者们有远见地创造出一种能够近似大脑独特的计算特征的存储芯片，例如低功耗、易于学习、适应环境、自主和认知，这些在目前的技术中是不可能实现的。
20世纪80年代对神经形态工程的第一项研究发现，在硅芯片上模仿大脑的结构和功能非常困难，因为即使是现在，人们对连接在一起以创造大脑高级功能的神经元知之甚少。现在，神经形态工程的目标已经转移到对受大脑启发的芯片进行逆向工程，而不是试图模仿它。
”我们提出的愿景雄心勃勃咸博士说。”但朝着这样一个宏伟的目标努力，将会突破机器智能、神经科学和半导体技术的边界。“三星电子在芯片制造领域拥有丰富的经验，在竞争对手中处于领先地位，这将有助于神经形态工程的研究，并在下一代人工智能半导体领域引领三星。
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